***、主要特性
。可選擇多種鍍膜材料
。精確的膜厚控制
。樣品臺控制靈活：可對樣品臺進行獨立的旋轉、行星式轉動、傾斜控制，保證形貌差異大的樣品也能得到*佳的鍍膜效果。
。多個樣品座：提供4個樣品座，每個樣品座直徑32mm，可裝載多達6個小樣品座。
。樣品室幾何可變： 樣品室幾何用于調節鍍膜的速率（1.0nm/s ～ 0.002nm/s）
。寬范圍的操作壓力：獨立的功率和壓力調節，氬氣的壓力大小范圍為0.2 - 0.005 mbar。
。緊湊、現代的桌上型設計
。操作容易
二、技術參數
| 濺射系統 |
| 鍍膜頭 | 低電壓平面磁控管 靶材更換快速 環繞暗區護罩 靶材調節遮擋 |
| 靶材 | Cr, Pt/Pd (標配)
Ta, Au, Au/Pd, Pt, W, Ir （選配） |
| 鍍膜控制 | 微處理器控制 安全互鎖 電流控制與真空度無關 數字化可選電流（20，40，60 和 80mA） |
| 樣品室大小 | 直徑150mm
高度165 - 250mm |
| 樣品臺 | 非重復的旋轉、行星式轉動，并可手動傾斜0-90°
轉動速度可調
晶體頭
4個樣品臺 |
| 模擬計量 | 真空 Atm - .001mb
電流 0-100mA |
| 控制方法 | 自動氣體凈化和泄氣功能 自動處理排序 帶有“暫停”功能的數字計時器 自動放氣 |
| 膜厚控制 | MTM-20高分辨膜厚控制儀 |
| 真空系統 |
| 結構 | 分子渦輪牽引泵和旋葉泵組合， 代替旋葉泵的無油渦旋式真空泵（選配） |
| 抽真空速度 | 0.1mb 下300 l/min |
| 抽真空時間 | 1 mbar 至 1 x 10-3mbar |
| 極限真空 | 1 x 10-5mbar |
| 桌上型系統 | 旋葉泵置于抗震臺上，全金屬真空耦合系統 |
| 膜厚測控儀 |
| MTM-20 | 基于微處理器，4位數字顯示，復位按鈕， 6MHz晶體（具有壽命檢查功能），5次/s的更新速率 |
| 膜厚范圍 | 0.0 - 999.9nm |
| 分辨率 | 優于 0.1nm |
| 密度范圍 | 0.50 - 30.00gm/cm3 |
| 修正系數范圍 | 0.25 - 8.00 |
| 鍍膜終止范圍 | 膜厚0 - 999.9nm |
| 系統要求 |
| 電氣 | 100-120 或 200-240VAC, 50/60Hz |
| 功率 | 550VA（） |
| 氬氣 | *小純度99.995%
調節壓力 5 - 6 psi (0.4 bar)
6.0mm ID連接軟管 |
208HR高分辨離子濺射儀為場發射掃描電鏡應用中遇到的各種樣品噴鍍難題提供真正的解決方案。
場發射掃描電鏡觀察時，樣品需鍍上極其薄、無細晶且均勻的膜層以消除電荷積累，并提高低密度材料的對比度。為了將細晶的尺寸減小到*小程度，208HR提供了***系列的鍍膜材料，并對膜厚和濺射條件提供無可媲美的控制。
208HR分子渦輪泵高真空系統提供寬范圍的操作壓力，可以對膜層的均勻性和***致性進行精確控制，并程度減小充電效應。高/低樣品室的結構設計使靶材和樣品之間的距離調節變得極為方便。
MTM-20高分辨膜厚控制儀分辨率小于0.1nm，其作用是對所鍍薄膜的厚度進行精確控制，它尤其適合場發射電鏡對膜厚（0.5－3nm）的要求。
場發射掃描電鏡鍍膜推薦的靶材是：
。Pt/Pd：非導電樣品鍍膜的通用鍍膜材料
。Cr：優良的半導體樣品的鍍膜材料
。Ir：優良的真正無細晶的鍍膜材料
208HR系統為得到*佳高分辨鍍膜效果提供了多種配置選擇，可配備標準的旋片泵或提供干凈真空的無油渦旋式真空泵，標配的208HR包含Cr 和 Pt/Pd靶。
滬公網安備31011502016460號
