SEMILAB-全光譜橢偏儀GES5E
(Spectroscopic Ellipsometer)
SEMILAB成立于1989年，總部位于匈牙利布達佩斯，為生產、研發中心，客戶遍布全球。在歐洲、和亞洲主要******都設有分支機構, 在美***設有工廠和研發中心。SEMILAB擁有全球zui***的電學和光學表征技術，產品被廣泛應用于光伏、半導體、科研以及平板測試領域。憑借的測試設備，為客戶的生產和質量監控提供***套完整的測試方案，在行業中始終處于領xian地位。
公司建成后迅速發展, 自2004年以來相繼收購了包括SemiTest、SSM、Sopra、QC Solution、AMS、SDI和Todival Solar在內的業內知名測試公司，同時囊獲了IBM的JPV、AMAT的Boxes Cross、以及德***Basler公司的zhuan li技術。
隨著市場的不斷擴張，SEMILAB于2000年進入中***市場，6年后成立代表處，并于2009年在上海成立全資子公司“瑟米萊伯貿易（上海）有限公司”。子公司成立以來，業務量發展迅猛，于2010年成立了TSS寄售維修中心，并于次年在無錫新增了售后服務中心，上海公司隨之成為亞洲的銷售及售后服務中心。公司秉承專ye、團隊、激情的文化理念，始終堅持為客戶提供*hao的測試方案和完善的售后服務。
產品描述
| GES5E全光譜橢偏儀基于橢圓偏振測試技術，采用的旋轉補償器，結合光纖專li技術將偏振光信號傳輸至分段光譜優化的高分辨率單色儀或陣列式多通道攝譜儀，測得線偏振光經過樣品反射后的偏振態變化情況，并通過樣品光學模型的建立，計算出單層或多層薄膜結構的厚度、折射率和消光系數，實現精確、快速、穩定的寬光譜橢偏測試。 |
| GES5E是Semilab針對科研院所和企業研發中心推出的多功能桌面 型旗艦產品。為了滿足科研院所及研發中心對于復雜薄膜材料和復雜多層薄膜結構的綜合型測試需求，GES5E采用了模塊化的設計，可自由組合多種掃描和真空變溫樣品臺，多種從135nm深紫外光譜至2400nm近紅外光譜的探測器，多種測試光斑尺寸，并可拓展FTIR紅外光譜測試模組、EPA薄膜孔隙率測試模組、渦電流法非接觸方塊電阻測試模組、Mueller Matrix各項異性材料測試模組、Raman結晶率測試模組、反射干涉測試模組、透射率和反射率測試模組等多種功能，為方便用戶合理配置，Semilab支持絕大部分模組的后續升***服務。 |
產品特點
| 業界第yi***光譜型橢偏儀測試設備廠商 |
| 業界標準測試機構定標設備，參與發布中華人民共和***橢圓偏振測試技術標準 |
| 非接觸、無損測試所測樣品無損傷的測量 |
| 業界*寬測試光譜范圍，選配135nm-25um，并可自動切換快速探測模式和高精度探測模式 |
| 測試功能延展性強，并支持后續升***服務 |
| 定期免費升***SOPRA材料數據庫 |
| 開放光學模型擬合分析過程，方便用戶優化測試菜單 |
主要應用
| 光伏行業：晶硅電池減反膜、薄膜電池透明導電膜、非晶硅微晶硅薄膜電池、CIGS薄膜電池、CdTe薄膜電池、有機電池、染劑敏感太陽能電池 |
| 半導體行業：High-K、Low-K、金屬、光刻工藝、半導體鍍膜工藝、外延工藝 |
| 平板顯示行業：TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色濾光片 |
| 光電行業：光波導、減反膜、III-V族器件、MEMS、溶膠凝膠 |
主要技術指標
| 測試速度：＜1 sec （快速測試模式）
＜120 sec （高分辨率測試模式） |
| 測量光譜分辨率：＜0.5nm@633nm （高分辨率測試模式）
＜0.8nm@633nm （快速測試模式） |
| 樣品尺寸： 300mm |
| 厚度測量范圍：0.01nm-50um |
| 厚度測試精度：0.02nm @120nm SiO2 on Si |
| 折射率測試精度：0.002 @120nm SiO2 on Si |
滬公網安備31011502016460號
